Saludo del director 

Aquí cultivamos el conocimiento fundamental que impulsa la innovación y la resolución de problemas en los campos científicos y tecnológicos. Nuestro programa ofrece una formación integral que combina disciplinas como matemáticas, física, química y herramientas computacionales, promoviendo el pensamiento crítico y la creatividad para enfrentar los retos del mundo actual.

A los estudiantes y aspirantes, los invito a aprovechar cada oportunidad de aprendizaje y a explorar su potencial al máximo. En este espacio académico encontrarán el apoyo de un equipo comprometido con su desarrollo profesional, guiándolos hacia un futuro lleno de logros y contribuciones significativas a la ciencia y la tecnología. ¡Estamos emocionados de ser parte de su camino hacia el éxito!

Javier Riascos

Authors
Camilo Andrés Espejo Pabón
Format
Impreso

The electronic band structures of MoS2 monolayer and 2H1 bulk polytype are studied within density-functional theory (DFT) and many-body perturbation theory (GW approximation). Interlayer van der Waals (vdW) interactions, responsible for bulk binding, are calculated with the postprocessing Wannier functions method. From both fat bands and Wannier functions analysis, it is shown that the transition from a direct band gap in the monolayer to an indirect band gap in bilayer or bulk systems is triggered by medium- to short-range electronic interactions between adjacent layers, which arise at the equilibrium interlayer distance determined by the balance between vdW attraction and exchange repulsion. The semiconductor-to-semimetal (S-SM) transition is found from both theoretical methods: around c=10.7 Å and c=9.9 Å for DFT and GW, respectively. A metallic transition is also observed for the interlayer distance c=9.7 Å. Dirac conelike band structures and linear bands near Fermi level are found for shorter c lattice parameter values. The VdW correction to total energy was used to estimate the pressure at which S-SM transition takes place from a fitting to a model equation of state.

 

 

REVISTA: Physical Review B Vol. 87 (8 Páginas)

ISSN: 1098-0121

Authors
Diana Cristina Díaz Guevara

Se presenta una estrategia pedagógica para la enseñanza de las características de sistemas dinámicos con comportamiento caótico. La metodología propuesta incorpora tres elementos fundamentales en la formación de un profesional en ingeniería: 1) creación de modelos, 2) simulación, 3) experimentación. El primer componente se basa en la comprensión de los principios de conservación con los cuales el estudiante puede establecer un modelo matemático que determine la respuesta del circuito elegido, el segundo componente depende del conocimiento básico de un lenguaje de programación que le permita crear la simulación del circuito, y el último elemento se fundamenta en la habilidad para elaborar el montaje experimental del circuito con el cual validar el trabajo previo. Dos circuitos no lineales son elegidos para el desarrollo de la práctica. Los resultados obtenidos en cada caso son expuestos y se concluye que el estudio de este tipo de circuitos puede ser una introducción adecuada al modelado y simulación de sistemas complejos.

PALABRAS CLAVE: enseñanza de la física, simulación y validación de modelos, enseñanza de la ingeniería

 

REVISTA EDUCACIÓN EN INGENIERÍA No.11 Páginas 76-85. Publicada en línea por la Asociación Colombiana de Facultades de Ingeniería- ACOFI.

ISSN: 1900-8260

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